[发明专利]微晶光电元件、其制造方法、及使用其的建筑材料和发电装置

权利要求书

1、一种具有层叠结构的光电元件，包括按顺序叠置的不含结晶相的第一半导体层、含近球形微晶相的第二半导体层和含柱形微晶相的第三半导体层，其中：所说第三半导体层侧上的所说第二半导体层的所说球形微晶相的平均尺寸大于所说第一半导体层侧上的所说第二层的所说球形微晶相的平均尺寸。

2、根据权利要求1的光电元件，其中：所说第一半导体层、所说第二半导体层和所说第三半导体层中的每一层都包括含氢硅材料、含氢硅锗材料、含氢碳化硅材料或这些材料的混合材料作为主要成分。

3、一种具有层叠结构的光电元件，包括按顺序叠置的不含结晶相的第一半导体层、含近球形微晶相的第二半导体层和含柱形微晶相的第三半导体层，其中：在所说第二半导体层的附近，所说第三半导体层具有包含相混合的近球形微晶相和柱形微晶相的层区。

4、根据权利要求3的光电元件，其中所说第一半导体层、所说第二半导体层和所说第三半导体层中的每一层都包括含氢硅材料、含氢硅锗材料、含氢碳化硅材料或这些材料的混合材料作为主要成分。

5、一种制造光电元件的方法，包括以下步骤：

(a)在基片上形成不含结晶相但含有要求量的掺杂元素的第一半导体层，

(b)在所说第一半导体层上形成不含结晶相、也不含掺杂元素或含有少量掺杂元素的第二半导体层，以得到层状产品，

(c)利用具有希望强度的激光束辐射，从所说第二半导体层侧激光退火所说层状产品，只微晶化所说第二半导体层，使之含近球形微晶相，从而使位于激光辐射侧的所说球形微晶相的平均尺寸大于位于所说第一半导体层侧上的所说球形微晶相的平均尺寸，

(d)在所说微晶化的第二半导体层上，形成含柱形微晶相的第三半导体层。

6、根据权利要求5的制造光电元件的方法，其中所说激光束以100-250mJ/cm²的强度辐射。

7、根据权利要求5的制造光电元件的方法，其中所说第二半导体层以30-200秒的淀积时间形成。

8、一种制造光电元件的方法，包括以下步骤：

(a)在基片上形成不含结晶相的第一半导体层；

(b)在所说第一半导体层上形成含近球形微晶相的第二半导体层；以及

(c)在所说第二半导体层上，形成含柱形微晶相的第三半导体层，其中在所说步骤(b)形成所说第二半导体层的过程中，提高由氢气稀释的膜形成原材料的稀释比，以形成包含于所说第二半导体层中的所说球形微晶相，从而位于所说第三半导体层侧上的所说球形微晶相的平均尺寸大于所说第一半导体层侧上的所说球形微晶相的平均尺寸。

9、一种制造光电元件的方法，包括以下步骤：

(a)在基片上形成不含结晶相的第一半导体层，

(b)在所说第一半导体层上形成含近球形微晶相的第二半导体层；以及

(c)在所说第二半导体层上，形成含柱形微晶相的第三半导体层，其中在所说步骤(b)形成所说第二半导体层的过程中，提高形成所说第二半导体层的温度，以形成包含于所说第二半导体层中的所说球形微晶相，从而位于所说第三半导体层侧上的所说球形微晶相的平均尺寸大于所说第一半导体层侧上的所说球形微晶相的平均尺寸。

10、一种具有如权利要求1所述的光电元件的建筑材料，其特征在于，所说光电元件和背面加强部件被一体密封。

11、一种电力发生设备，包括如权利要求1所述的光电元件和用于将所说光电元件产生的功率转换成希望功率的功率转换装置。