[发明专利]光记录介质和利用光记录介质的记录和/或重放方法及装置无效
| 申请号: | 00118747.3 | 申请日: | 2000-06-23 |
| 公开(公告)号: | CN1287355A | 公开(公告)日: | 2001-03-14 |
| 发明(设计)人: | 山本真伸;安田章夫;佐飞裕一 | 申请(专利权)人: | 索尼株式会社;索尼国际(欧洲)有限公司 |
| 主分类号: | G11B7/24 | 分类号: | G11B7/24 |
| 代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 王茂华 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 记录 介质 利用 重放 方法 装置 | ||
1.一种光记录介质,它包括记录层,记录层包括一种有机材料,有机材料的分子取向随偏振光的照射而变化。
2.根据权利要求1的光记录介质,其中
所说的有机材料的分子取向随反式-顺式重排结构变化而改变;以及
所说的记录层的双折射率随所说的有机材料的分子取向的变化而改变。
3.根据权利要求2的光记录介质,其中
所说的有机材料是液晶系统的材料。
4.根据权利要求2的光记录介质,其中
所说的有机材料包括偶氮苯衍生物。
5.根据权利要求1的光记录介质,其中
对于完全取向时所说的记录层的双折射率Δn以及对于重放光的波长λ,记录层的厚度t不大于λ/2Δn。
6.根据权利要求1的光记录介质,进一步包括
一个基片,所说的记录层形成在所说的基片上,在所说的基片面向记录层的一个侧面上有导向凹槽和/或凹坑。
7.根据权利要求6的光记录介质,进一步包括
形成在所说的基片上的第一介质薄膜;
形成在所说的记录层上的第二介质薄膜;
形成在所说的第二介质层上的反射膜;
所说的介质薄膜的折射率与基片的折射率不同。
8.根据权利要求7的光记录介质,进一步包括
形成在所说的反射膜上的保护膜。
9.根据权利要求7的光记录介质,其中
对于完全取向时所说的记录层的双折射率Δn以及对于重放光的波长λ,记录层的厚度t不大于λ/4Δn,以及
介质薄膜的厚度被设置为:使得在平行于双折射普通光的轴入射的光和平行于双折射特殊光的轴入射的光的反射光束之间的相位偏移将接近π。
10.根据权利要求7的光记录介质,其中
对于完全取向时所说的记录层的双折射率Δn以及对于重放光的波长λ,记录层的厚度t不大于λ/8Δn,以及
介质薄膜的厚度被设置为:使得在平行于双折射普通光的轴入射的光和平行于双折射特殊光的轴入射的光的反射光束之间的相位偏移将接近π/2。
11.根据权利要求1的光记录介质,其中
记录层的有机材料的分子取向方向被排列为平行于导向凹槽的方向,该状态是初始化的状态。
12.一种记录和/或重放方法,包括步骤:
向包括有机材料的记录层照射偏振光;在所说的记录层上记录信息信号以改变有机材料的分子取向;
以及读取分子取向改变引起的双折射率的变化,分子取向随入射光偏振状态变化而改变。
13.根据权利要求12的记录和/或重放方法,其中
进行所说的记录时使用的光源的波长比所说的读取时的波长短。
14.根据权利要求12的记录和/或重放方法,其中
进行记录使得包括在所说的记录层内的有机材料的取向程度将有多个级别,以实现多值记录。
15.根据权利要求12的记录和/或重放方法,其中
进行记录使得包括在所说的记录层内的有机材料的取向角度将有多个级别,以实现多值记录。
16.根据权利要求12的记录和/或重放方法,其中
所说的记录层形成在透明基片上,其中信息信号被从透明基片的侧面记录和/或读取。
17.一种用于在光记录介质上记录或从光记录介质读取的记录和/或重放装置,所说的光记录介质具有一个包括有机材料的记录层,有机材料的分子取向随偏振光的照射而变化;
所说的装置包括:
用于在所说的记录层上照射作为记录光的预置偏振光的记录光学系统;和
用于检测入射在所说的记录层上的重放光的偏振状态的重放光学系统系统。
18.根据权利要求17的记录和/或重放装置,其中所说的记录光学系统和所说的重放光学系统分别具有光源,
用于记录的所说的光源的波长比用于重放的所说的光源的波长短。
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