[发明专利]热堆式红外线传感器及其制造方法

权利要求书

1、一种在具有空洞部分的单晶硅衬底上形成有热电元件的热堆式红外线传感器，

其特征是：在覆盖上述空洞部分的第1绝缘膜上边，配置有从芯片中心附近开始放射状地延伸的多个n型多晶硅层，借助于上述n型多晶硅层和金属薄膜层的接触，在芯片中心一侧形成有热接点部分，在其周围一侧形成有冷接点部分，上述金属薄膜层交互地连接相邻的上述n型多晶硅层之间的热接点部分和冷接点部分，在上述第1绝缘膜上边至少形成有一个串联连接的热电元件列。

2、一种在具有空洞部分的单晶硅衬底上形成有热电元件的热堆式红外线传感器，

其特征是：在覆盖上述空洞部分的第1绝缘膜上边，配置有从芯片中心附近开始放射状地延伸的多个n型多晶硅层，借助于上述n型多晶硅层和金属薄膜层的接触，在芯片中心一侧形成热接点部分，在其周围一侧形成有冷接点部分，上述金属薄膜层交互地连接相邻的上述n型多晶硅层彼此间的热接点部分和冷接点部分，在上述第1绝缘膜上边至少形成有一个串联连接的热电元件列，而且，在上述热电元件列上边，中间存在着绝缘膜地形成红外线吸收膜。

3、一种在具有空洞部分的单晶硅衬底上形成有热电元件的热堆式红外线传感器，

其特征是：在覆盖上述空洞部分的第1绝缘膜上边，使之互相啮合地配置有从芯片中心附近的圆周上边和其外侧的多个同心圆上边的位置开始，向芯片周缘方向放射状地延伸的多个n型多晶硅层，在覆盖上述n多晶硅层和上述第1绝缘膜的第2绝缘膜上设置有开口部分，通过上述开口部分借助于上述n型多晶硅层和金属薄膜层之间的接触，在芯片中心一侧和其周围一侧分别形成有热接点部分和冷接点部分，用上述金属薄膜层交互地连接相邻的上述n型多晶硅层彼此间的热接点部分和冷接点部分，在上述第1绝缘膜上边至少形成有一个串联连接的热电元件列，而且，在上述热电元件列上边，中间存在着绝缘膜地形成红外线吸收膜。

4、一种在具有空洞部分的单晶硅衬底上形成有热电元件的热堆式红外线传感器，

其特征是：设置下述部分：

覆盖在上述单晶硅衬底上设置的空洞部分的第1绝缘膜；

在上述第1绝缘膜上边，使之互相啮合地配置从芯片中心附近的圆周上边和其外侧的多个同心圆上边的位置开始，向芯片周缘方向放射状地延伸的多个n型多晶硅层；

在上述n型多晶硅层和上述第1绝缘膜上边形成的第2绝缘膜；

为了在上述多个n型多晶硅层的芯片中心侧和周缘一侧分别形成热接点部分和冷接点部分，在上述第2绝缘膜上形成的开口部分；

用来通过上述开口部分与上述n型多晶硅层接触并形成上述热接点部分和冷接点部分的金属薄膜层；

用上述金属薄膜层交互地连接上述热接点部分和冷接点部分而形成的热电元件列；

在上述第2绝缘膜上边和上述金属薄膜层上边形成的第3绝缘膜；

在上述第3绝缘膜上边形成为把上述热接点部分覆盖起来的红外线吸收膜；

在上述串联连接的热电元件列的终端部分上形成的电极焊盘部分。

5、一种在具有空洞部分的单晶硅衬底上形成有热电元件的热堆式红外线传感器，

其特征是：在覆盖上述空洞部分的第1绝缘膜上边，使之互相啮合地配置有从芯片中心附近的圆周上边和其外侧的多个同心圆上边的位置开始，向芯片周缘方向放射状地延伸的多个n型多晶硅层，借助于上述n型多晶硅层和金属薄膜层之间的接触，在芯片中心一侧和其周围一侧分别形成有热接点部分和冷接点部分，使从上述热接点部分导出的上述金属薄膜层在上述第1绝缘膜上边攀沿并连接到相邻的n型多晶硅层的上述冷接点部分上，在上述第1绝缘膜上边形成串联连接的热电元件列，而且，在覆盖上述热电元件列的第2绝缘膜上边，形成红外线吸收膜。